Сензорите за притисок на полупроводниците можат да се поделат во две категории, едната се заснова на принципот дека карактеристиките I-υ на полупроводничкиот PN спој (или шотки-спој) се менуваат под стрес. Работата на овој елемент осетлив на притисок е многу нестабилна и не е многу развиена. Другиот е сензор базиран на полупроводнички пиезорезистивен ефект, кој е главната разновидност на полупроводнички сензор за притисок. Во раните денови, полупроводничките мерачи на напрегање главно беа прикачени на еластичните елементи за да се направат различни инструменти за мерење на напрегање и напор. Во 1960-тите, со развојот на технологијата на полупроводнички интегрални кола, се појави сензор за притисок на полупроводници со дифузен отпорник како пиезорезистивен елемент. Овој вид сензор за притисок има едноставна и сигурна структура, нема релативни подвижни делови, а интегрираниот елемент чувствителен на притисок и еластичниот елемент на сензорот се интегрирани, со што се избегнува механичко заостанување и лази и се подобруваат перформансите на сензорот.

Пиезорезистентно дејство на полупроводникот Полупроводникот има карактеристика поврзана со надворешната сила, односно отпорноста (претставена со симбол ρ) се менува со напрегањето што го носи, што се нарекува пиезорезистивен ефект. Релативната промена на отпорноста под дејство на единечниот напон се нарекува пиезорезистивен коефициент, кој се изразува со симболот π. Математички изразено како ρ/ρ = π σ.

Каде што σ претставува стрес. Промената на вредноста на отпорот (R/R) предизвикана од отпорот на полупроводникот при напрегање главно се определува со промената на отпорноста, па изразот на пиезорезистивниот ефект може да се запише и како R/R=πσ.

Под дејство на надворешна сила, одредено напрегање (σ) и напрегање (ε) се создаваат кај полупроводничките кристали, а односот меѓу нив се одредува со Јанг-овиот модул (Y) на материјалот, односно Y=σ/ε.

Ако пиезорезистивниот ефект се изразува со напрегањето на полупроводникот, тоа е R/R=Gε.

G се нарекува фактор на чувствителност на сензорот за притисок, кој ја претставува релативната промена на вредноста на отпорот при единечно напрегање.

Пиезорезистивен коефициент или фактор на чувствителност е основниот физички параметар на полупроводнички пиезорезистивен ефект. Односот меѓу нив, исто како и односот помеѓу напрегањето и напрегањето, се одредува со Јанг-овиот модул на материјалот, односно g = π y.

Поради анизотропијата на полупроводничките кристали во еластичноста, Јанг-овиот модул и пиезорезистивниот коефициент се менуваат со кристалната ориентација. Големината на полупроводничкиот пиезорезистивен ефект е исто така тесно поврзана со отпорноста на полупроводникот. Колку е помала отпорноста, толку е помал факторот на чувствителност. Пиезорезистивниот ефект на отпорот на дифузија се одредува со кристалната ориентација и концентрацијата на нечистотија на отпорот на дифузија. Концентрацијата на нечистотија главно се однесува на концентрацијата на површинската нечистотија на слојот на дифузија.